IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜
更新時間：2024-08-19
IA-DJYJP3VP3R-300/500V-10*2*2.5-計算機電纜結構：交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜-由安徽華強電纜有限公司。
- 上一個：DJYP2VP2R-24*2*0.75計算機電纜
- 下一個：儀表電纜
IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等存在爆炸危險的場合以及其它防爆安全要求較高的場合，傳輸自動控制信號。該電纜具有低電容、低電感集散型儀表信號電纜，簡稱本安DCS系統用電纜，具有優異的屏蔽性能和抗干擾性能，因此防爆安全性能明顯高于一般DCS系統電纜和計算機控制電纜。
計算機電纜執行標準：采用企業標準生產
IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5計算機電纜使用特性：
1、交流額定電壓U0/U：300/500V
2、電纜導體長期允許zui高工作溫度：聚氯乙烯絕緣為70℃；交聯聚乙烯絕緣為90℃；無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣為70℃。
3、zui低環境溫度：固定敷設-40℃；非固定敷設-15℃；安裝敷設時環境溫度：不低于0℃。
4、電纜允許彎曲半徑：非鎧裝、編織屏蔽電纜不小于電纜外徑的6倍；銅帶屏蔽、鎧裝電纜不小于電纜外徑的12倍。
計算機電纜型號和名稱：
型號 | 名稱 |
IA-DJYPVP | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYPVPR | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
IA-DJYP3VP3 | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYP3VP3R | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
IA-DJYP2VP2 | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYP2VP2R | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
IA-DJYJPVP | 交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYJPVPR | 交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
IA-DJYJP3VP3 | 交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYJP3VP3R | 交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
IA-DJYJP2VP2 | 交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
IA-DJYJP2VP2R | 交聯聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
WDZ-IA-DJYPVP | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安DCS電纜 |
WDZ-IA-DJYPVPR | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
WDZ-IA-DJYP3VP3 | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
WDZ-IA-DJYP3VP3R | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
WDZ-IA-DJYP2VP2 | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜 |
WDZ-IA-DJYP2VP2R | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜 |
計算機電纜技術參數 ：
1、20℃導體直流電阻及導體結構
標稱截面（mm2） | 導體結構（根數/單絲直徑mm） | 20℃直流電阻≤（Ω/km） | |||
A類 | B類 | R類 | A、B類 | R類 | |
0.5 | 1/0.8 | 7/0.3 | 16/0.2 | ≤36.0 | ≤39.0 |
0. 75 | 1/0.97 | 7/0.37 | 24/0.2 | ≤24.5 | ≤26.0 |
1.0 | 1/1.13 | 7/0.43 | 32/0.2 | ≤18.1 | ≤19.5 |
1.5 | 1/1.38 | 7/0.52 | 30/0.25 | ≤12.1 | ≤13.3 |
2.5 | 1/1.78 | 7/0.68 | 49/0.25 | ≤7.41 | ≤7.98 |
2、20℃絕緣電阻
性能項目 | PVC絕緣 | PE、XLPE絕緣 |
20℃時絕緣電阻MΩ.KM | ≥25 | ≥500 |
3、電纜應經受工頻交流電壓試驗：2000V/1min絕緣不發生擊穿，試驗溫度為環境溫度。
4、工作電容（1KHZ）：線芯與線芯≤90PF/m
5、分布電容（1KHZ）≤0.6μH/m
6、電磁干擾感應電壓（干擾磁場400A/m）≤5mV
7、靜電感應電壓（靜電電壓20KV）＜1V
8、輻射場透入強度（干擾場強120dBμV，干擾場頻率200MHZ）≤dB。
